10 层以上的 EUV 技术铺用,创新打破当今芯片掩模数量增加的膨胀传统,充分展现芯片设计 DTCO 效果,让测试芯片的逻辑密度增加 1.84 倍,能效增加 15%,功耗降低 30%,率先拉开 2020 HVM 的工艺预定序幕
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10 层以上的 EUV 技术铺用,创新打破当今芯片掩模数量增加的膨胀传统,充分展现芯片设计 DTCO 效果,让测试芯片的逻辑密度增加 1.84 倍,能效增加 15%,功耗降低 30%,率先拉开 2020 HVM 的工艺预定序幕
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